Tulosta sivu
SIR510DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIR510DP-T1-RE3
Tilauskoodi3677856RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen V
Tekninen tuotetietolomake
8 856 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 1,160 € |
| 500+ | 0,932 € |
| 1000+ | 0,916 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 5
121,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIR510DP-T1-RE3
Tilauskoodi3677856RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen V
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id126A
Drain Source On State Resistance3000µohm
On Resistance Rds(on)0.003ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
Power Dissipation Pd104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
N-channel 100V (D-S) MOSFET in PowerPAK SO-8 package is typically used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control and battery management applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
126A
On Resistance Rds(on)
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0005
Tuotteen jäljitettävyys