Tulosta sivu
TPN19008QM,LQ(S
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTPN19008QM,LQ(S
Tilauskoodi4173229RL
TuotevalikoimaU-MOSX-H Series
Vaihtoehtoinen nimiTPN19008QM, TPN19008QM,LQ
Tekninen tuotetietolomake
3 388 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,341 € |
| 500+ | 0,338 € |
| 1000+ | 0,334 € |
| 5000+ | 0,284 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
39,10 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTPN19008QM,LQ(S
Tilauskoodi4173229RL
TuotevalikoimaU-MOSX-H Series
Vaihtoehtoinen nimiTPN19008QM, TPN19008QM,LQ
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.0147ohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0147ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00002