Tulosta sivu
STGWA40H65DFB2
IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTGWA40H65DFB2
Tilauskoodi3387279
TuotevalikoimaHB2
Tekninen tuotetietolomake
Ei varastossa enää
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTGWA40H65DFB2
Tilauskoodi3387279
TuotevalikoimaHB2
Tekninen tuotetietolomake
Continuous Collector Current72A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation230W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247LL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB2
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Tekniset tiedot
Continuous Collector Current
72A
Power Dissipation
230W
Transistor Case Style
TO-247LL
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0061
Tuotteen jäljitettävyys