Tulosta sivu
FDN5618P
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
63 000 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 3000+ | 0,149 € |
| 9000+ | 0,119 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Full Reel)
Vähintään: 3000
Useita: 3000
447,00 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroFDN5618P
Tilauskoodi2352452
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.2A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The FDN5618P is a surface mount, 60V P channel logic level powerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for DC-DC converters, load switch and power management applications.
- High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -1.25A
- Power dissipation (pd) of 500mW
- Low on state resistance of 185mohm at Vgs -4.5V
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000033
Tuotteen jäljitettävyys