Tulosta sivu
NTBG025N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTBG025N065SC1
Tilauskoodi4051291RL
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 21 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 10+ | 14,110 € |
| 50+ | 13,910 € |
| 100+ | 13,710 € |
| 250+ | 13,440 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 10
Useita: 1
146,10 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaONSEMI
Valmistajan osanumeroNTBG025N065SC1
Tilauskoodi4051291RL
TuotevalikoimaEliteSiC Series
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation395W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
395W
Product Range
EliteSiC Series
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0004
Tuotteen jäljitettävyys