Tulosta sivu
IXFN140N20P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN140N20P
Tilauskoodi1427319
Tekninen tuotetietolomake
479 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 26,420 € |
| 5+ | 22,880 € |
| 10+ | 19,340 € |
| 50+ | 18,680 € |
| 100+ | 18,010 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
26,42 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN140N20P
Tilauskoodi1427319
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tuotteen yleiskatsaus
The IXFN140N20P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
Sovellukset
Power Management
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
140A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.311618
Tuotteen jäljitettävyys