Tulosta sivu
IGLT65R110D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIGLT65R110D2ATMA1
Tilauskoodi4573846RL
Vaihtoehtoinen nimiIGLT65R110D2, SP005934583
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 2,370 € |
| 500+ | 2,110 € |
| 1000+ | 1,800 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
242,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIGLT65R110D2ATMA1
Tilauskoodi4573846RL
Vaihtoehtoinen nimiIGLT65R110D2, SP005934583
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Typical Gate Charge2.4nC
No. of Pins16Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
No. of Pins
16Pins
Continuous Drain Current Id
15A
Typical Gate Charge
2.4nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys