Tulosta sivu
BSZ0909NDXTMA1
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A, 0.018 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSZ0909NDXTMA1
Tilauskoodi2771840RL
Vaihtoehtoinen nimiBSZ0909ND, SP001637282
Tekninen tuotetietolomake
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSZ0909NDXTMA1
Tilauskoodi2771840RL
Vaihtoehtoinen nimiBSZ0909ND, SP001637282
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel17W
Power Dissipation P Channel17W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tuotteen yleiskatsaus
The BSZ0909NDXTMA1 from Infineon is a dual N-channel OptiMOS™ MOSFET in 8 pin WISON package. The OptiMOS™ technology combined with the PQFN 3x3 package offers an optimized solution for DC to DC applications with space critical requirements. The BSZ0909ND fits perfectly in wireless charging or drives (e.g. multicopter) architectures where designers target to simplify the layout and significantly save space without compromising on efficiency.
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- Avalanche rated
- Low switching losses
- High switching frequency operation
- Lowest parasitics
- Low gate drive losses
- Drain source voltage VDS is 30V, maximum RDS(on) is 18mohm, continuous drain current ID is 20A
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Power dissipation is 17W at TC=25°C
Sovellukset
Power Management, Industrial
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
17W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
20A
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.018ohm
Transistor Case Style
WISON
Power Dissipation N Channel
17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0003
Tuotteen jäljitettävyys