Bipolar Junction Transistor Arrays - BJT

: 16 tuotetta löydetty
Suodattimien asettelu:
2 filtteri(a) valittu
16 tuotetta löydetty Päivitä tulokset valitsemalla Käytä suodattimia
Jatka suodattimien käyttämistä tai Näytetään tulosta Näytetään tulosta
Pienin/suurin Saatavuus

Kun Muista-valintaruutu on valittu, tallennamme viimeisimmät suodatinasetuksesi tulevia hakuja varten

Pienin/suurin Transistor Polarity
Nollaa
Pienin/suurin Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Nollaa
Pienin/suurin Power Dissipation Pd
Nollaa
Pienin/suurin DC Collector Current
Nollaa
Pienin/suurin DC Current Gain hFE
Nollaa
Pienin/suurin Transistor Case Style
Nollaa
Pienin/suurin No. of Pins
Nollaa
Pienin/suurin Operating Temperature Max
Nollaa
Pienin/suurin Product Range
Nollaa
Pienin/suurin Automotive Qualification Standard
Nollaa

Sopimushinnoittelua ei voida näyttää tällä hetkellä. Näytetyt hinnat ovat normaaleja jälleenmyyntihintoja. Tehtyihin tilauksiin sovelletaan käsiteltäessä sopimushintoja.

suodatinta käytössä
Valmistaja
= ON SEMICONDUCTOR
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
= 65V
 
Vertaa valittuja Vertaa
Laajennetut tiedot Tiedot
Lisää taulukkoon ominaisuuksia

Valitse ominaisuudet, jotka haluat näyttää taulukon reunassa olevissa sarakkeissa.

  Valmistajan osanumero Tilauskoodi Valmistaja / kuvaus
Saatavuus Hinta:
Hinta
Määrä
Transistor Polarity Collector Emitter Voltage V(br)ceo Power Dissipation Pd DC Collector Current DC Current Gain hFE Transistor Case Style No. of Pins Operating Temperature Max Product Range Automotive Qualification Standard
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BC846BPDW1T1G
BC846BPDW1T1G - Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

2533305

ON SEMICONDUCTOR

Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

Transistor Polarity NPN, PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
Power Dissipation Pd 380mW

+ Näytä kaikki tuotetiedot

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

+ Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

3 411 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (Liege stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

13 754 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

  • 15 000 lisää saatavana 4.6.2020
  • Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Data Sheet
    +
    RoHS
    Yksittäispakkaus
    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range BCxxx Series
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    17 165

    5+ 0,204 € Hinta: 50+ 0,0697 € Hinta: 250+ 0,0631 € Hinta: 1000+ 0,0315 € Hinta: 5000+ 0,0273 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Yksittäispakkaus

    5+ 0,204 € 50+ 0,0697 € 250+ 0,0631 € 1000+ 0,0315 € 5000+ 0,0273 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 5 Mult: 5
    NPN, PNP 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C BCxxx Series AEC-Q101
    BC846BDW1T1G
    BC846BDW1T1G - Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2317636

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    3 336 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (Liege stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    11 890 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

  • 310 lisää saatavana 6.6.2020
  • 12 000 lisää saatavana 19.8.2020
  • Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Data Sheet
    +
    RoHS
    Yksittäispakkaus
    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range BCxxx Series
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    15 226

    5+ 0,208 € Hinta: 50+ 0,0711 € Hinta: 250+ 0,0644 € Hinta: 1000+ 0,0321 € Hinta: 5000+ 0,0278 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Yksittäispakkaus
    Pakkausvaihtoehdot
    Ehdotettu vaihtotuote kohteelle:2317636
    2317636RL pakkauskoossa Uusiokela
    2317917 pakkauskoossa Kela

    5+ 0,208 € 50+ 0,0711 € 250+ 0,0644 € 1000+ 0,0321 € 5000+ 0,0278 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 5 Mult: 5
    Dual NPN 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C BCxxx Series AEC-Q101
    BC846BDW1T1G
    BC846BDW1T1G - Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2317636RL

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    3 336 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (Liege stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    11 890 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

  • 310 lisää saatavana 6.6.2020
  • 12 000 lisää saatavana 19.8.2020
  • Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range BCxxx Series
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    15 226

    150+ 0,0711 € Hinta: 250+ 0,0644 € Hinta: 1000+ 0,0321 € Hinta: 5000+ 0,0278 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Uusiokela
    Pakkausvaihtoehdot
    Ehdotettu vaihtotuote kohteelle:2317636RL
    2317636 pakkauskoossa Yksittäispakkaus
    2317917 pakkauskoossa Kela
    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan

    50+ 0,0711 € 250+ 0,0644 € 1000+ 0,0321 € 5000+ 0,0278 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 150 Mult: 5
    Dual NPN 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C BCxxx Series AEC-Q101
    BC846BDW1T1G
    BC846BDW1T1G - Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2317917

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    63 000 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    63 000

    12000+ 0,0242 € Hinta: 36000+ 0,02 € Hinta:

    Määrä

    kappale (täysi kela)

    Kela
    Pakkausvaihtoehdot
    Ehdotettu vaihtotuote kohteelle:2317917
    2317636 pakkauskoossa Yksittäispakkaus
    2317636RL pakkauskoossa Uusiokela

    12000+ 0,0242 € 36000+ 0,02 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 12000 Mult: 12000
    Dual NPN 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    SBC846BPDW1T1G
    SBC846BPDW1T1G - Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2724491

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    4 636 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Data Sheet
    +
    RoHS
    Yksittäispakkaus
    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    4 636

    5+ 0,299 € Hinta: 50+ 0,123 € Hinta: 250+ 0,112 € Hinta: 1000+ 0,0872 € Hinta: 3000+ 0,0662 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Yksittäispakkaus

    5+ 0,299 € 50+ 0,123 € 250+ 0,112 € 1000+ 0,0872 € 3000+ 0,0662 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 5 Mult: 5
    NPN, PNP 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    SBC846BDW1T1G
    SBC846BDW1T1G - Bipolar Transistor Array, NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2628004

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    804 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

  • 6 000 lisää saatavana 23.7.2020
  • Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Data Sheet
    +
    RoHS
    Yksittäispakkaus
    Transistor Polarity NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    804

    5+ 0,305 € Hinta: 25+ 0,294 € Hinta: 100+ 0,12 € Hinta: 250+ 0,114 € Hinta: 500+ 0,0909 € Hinta: 1000+ 0,0675 € Hinta: 5000+ 0,0558 € Hinta: Lisää hintavaihtoehtoja...

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Yksittäispakkaus

    5+ 0,305 € 25+ 0,294 € 100+ 0,12 € 250+ 0,114 € 500+ 0,0909 € 1000+ 0,0675 € 5000+ 0,0558 € Lisää hintavaihtoehtoja...

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 5 Mult: 5
    NPN 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    NST65011MW6T1G
    NST65011MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

    2508356

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    5 510 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Data Sheet
    +
    RoHS
    Yksittäispakkaus
    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 0.9hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    17 510

    5+ 0,305 € Hinta: 25+ 0,263 € Hinta: 100+ 0,109 € Hinta: 250+ 0,104 € Hinta: 500+ 0,0819 € Hinta: 1000+ 0,0603 € Hinta: 5000+ 0,05 € Hinta: Lisää hintavaihtoehtoja...

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Yksittäispakkaus
    Pakkausvaihtoehdot
    Ehdotettu vaihtotuote kohteelle:2508356
    2508356RL pakkauskoossa Uusiokela

    5+ 0,305 € 25+ 0,263 € 100+ 0,109 € 250+ 0,104 € 500+ 0,0819 € 1000+ 0,0603 € 5000+ 0,05 € Lisää hintavaihtoehtoja...

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 5 Mult: 5
    Dual NPN 65V 380mW 100mA 0.9hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    BC846BPDW1T1G
    BC846BPDW1T1G - Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2533305RL

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    3 411 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (Liege stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    13 754 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

  • 15 000 lisää saatavana 4.6.2020
  • Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range BCxxx Series
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    17 165

    150+ 0,0697 € Hinta: 250+ 0,0631 € Hinta: 1000+ 0,0315 € Hinta: 5000+ 0,0273 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Uusiokela
    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan

    50+ 0,0697 € 250+ 0,0631 € 1000+ 0,0315 € 5000+ 0,0273 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 150 Mult: 1
    NPN, PNP 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C BCxxx Series AEC-Q101
    NSVT65011MW6T1G
    NSVT65011MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

    2508354

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    2 441 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Data Sheet
    +
    RoHS
    Yksittäispakkaus
    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 300hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    2 441

    5+ 0,27 € Hinta: 25+ 0,259 € Hinta: 100+ 0,114 € Hinta: 250+ 0,11 € Hinta: 500+ 0,0909 € Hinta: 1000+ 0,0714 € Hinta: 5000+ 0,0612 € Hinta: Lisää hintavaihtoehtoja...

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Yksittäispakkaus
    Pakkausvaihtoehdot
    Ehdotettu vaihtotuote kohteelle:2508354
    2508354RL pakkauskoossa Uusiokela

    5+ 0,27 € 25+ 0,259 € 100+ 0,114 € 250+ 0,11 € 500+ 0,0909 € 1000+ 0,0714 € 5000+ 0,0612 € Lisää hintavaihtoehtoja...

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 5 Mult: 5
    Dual NPN 65V 380mW 100mA 300hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    SBC846BDW1T1G
    SBC846BDW1T1G - Bipolar Transistor Array, NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2628004RL

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    804 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

  • 6 000 lisää saatavana 23.7.2020
  • Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
    Transistor Polarity NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    804

    150+ 0,12 € Hinta: 250+ 0,114 € Hinta: 500+ 0,0909 € Hinta: 1000+ 0,0675 € Hinta: 5000+ 0,0558 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Uusiokela
    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan

    100+ 0,12 € 250+ 0,114 € 500+ 0,0909 € 1000+ 0,0675 € 5000+ 0,0558 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 150 Mult: 1
    NPN 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    SBC846BPDW1T1G
    SBC846BPDW1T1G - Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2724491RL

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    4 636 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    4 636

    150+ 0,123 € Hinta: 250+ 0,112 € Hinta: 1000+ 0,0872 € Hinta: 3000+ 0,0662 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Uusiokela
    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan

    50+ 0,123 € 250+ 0,112 € 1000+ 0,0872 € 3000+ 0,0662 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 150 Mult: 1
    NPN, PNP 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    BC846BPDW1T1G
    BC846BPDW1T1G - Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2985334

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    6 000 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    6 000

    12000+ 0,0237 € Hinta: 36000+ 0,0196 € Hinta:

    Määrä

    kappale (täysi kela)

    Kela

    12000+ 0,0237 € 36000+ 0,0196 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 12000 Mult: 12000
    NPN, PNP 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    NST65011MW6T1G
    NST65011MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

    2508356RL

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    5 510 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 0.9hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    17 510

    150+ 0,109 € Hinta: 250+ 0,104 € Hinta: 500+ 0,0819 € Hinta: 1000+ 0,0603 € Hinta: 5000+ 0,05 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Uusiokela
    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan

    100+ 0,109 € 250+ 0,104 € 500+ 0,0819 € 1000+ 0,0603 € 5000+ 0,05 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 150 Mult: 5
    Dual NPN 65V 380mW 100mA 0.9hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    BC856BDW1T1G
    BC856BDW1T1G - Bipolar Transistor Array, General Purpose, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-363

    2440799

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    3 000 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Transistor Polarity PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 290hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 3Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    3 000

    12000+ 0,0237 € Hinta: 36000+ 0,0196 € Hinta:

    Määrä

    kappale (täysi kela)

    Kela
    Pakkausvaihtoehdot
    Ehdotettu vaihtotuote kohteelle:2440799
    2317637 pakkauskoossa Yksittäispakkaus

    12000+ 0,0237 € 36000+ 0,0196 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 12000 Mult: 12000
    PNP 65V 380mW 100mA 290hFE SOT-363 3Pins 150°C - AEC-Q101
    SBC846BPDW1T1G
    SBC846BPDW1T1G - Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    2985504

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    3 000 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Transistor Polarity NPN, PNP
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 200hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    3 000

    6000+ 0,0577 € Hinta: 18000+ 0,0536 € Hinta:

    Määrä

    kappale (täysi kela)

    Kela

    6000+ 0,0577 € 18000+ 0,0536 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 6000 Mult: 6000
    NPN, PNP 65V 380mW 100mA 200hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101
    NSVT65011MW6T1G
    NSVT65011MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

    2508354RL

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW

    + Näytä kaikki tuotetiedot

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363

    + Tarkista varastotilanne ja toimitusajat

    2 441 varastossa seuraavan päivän toimitukseen (UK stock): 00 arkipäivisin (uusiokelatuille nimikkeille 18:30). Viikonlopun ja pyhien tilaukset lähetetään seuraavana arkipäivänä.

    Lisää tuotteita varastossa päivämäärästä 17.8.2020 alkavalla viikolla

    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
    Transistor Polarity Dual NPN
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 65V
    Power Dissipation Pd 380mW
    DC Collector Current 100mA
    DC Current Gain hFE 300hFE
    Transistor Case Style SOT-363
    No. of Pins 6Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    Automotive Qualification Standard AEC-Q101

    2 441

    150+ 0,114 € Hinta: 250+ 0,11 € Hinta: 500+ 0,0909 € Hinta: 1000+ 0,0714 € Hinta: 5000+ 0,0612 € Hinta:

    Määrä

    kappale (leikattu nauha)

    Uusiokela
    Pakkausvaihtoehdot
    Ehdotettu vaihtotuote kohteelle:2508354RL
    2508354 pakkauskoossa Yksittäispakkaus
    Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan

    100+ 0,114 € 250+ 0,11 € 500+ 0,0909 € 1000+ 0,0714 € 5000+ 0,0612 €

    Rajoitettu tuote
    Lisää
    Min: 150 Mult: 5
    Dual NPN 65V 380mW 100mA 300hFE SOT-363 6Pins 150°C - AEC-Q101