Tulosta sivu
BIDW50N65T
IGBT, 100 A, 1.65 V, 416 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
1 461 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 3,630 € |
| 10+ | 2,380 € |
| 100+ | 2,170 € |
| 500+ | 2,000 € |
| 1000+ | 1,960 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
3,63 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaBOURNS
Valmistajan osanumeroBIDW50N65T
Tilauskoodi4050701
Tekninen tuotetietolomake
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation416W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tekniset tiedot
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
416W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000029