Low

ON SEMICONDUCTOR  TIP141G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 125 W, 10 A, 500 hFE

ON SEMICONDUCTOR TIP141G
Technical Data Sheet (138.38KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The TIP141G is a 10A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications.
  • Complementary device
  • Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
80V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
125W
DC Collector Current:
10A
DC Current Gain hFE:
500hFE
Transistor Case Style:
TO-247
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial;
  • Power Management

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
-
Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.008255

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE

MULTICOMP

1 612 Varastossa

Hinta: kappale

1+ 2,35 € 25+ 2,17 € 100+ 1,71 € 500+ 1,35 € lisää…

Osta

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.