Low

ON SEMICONDUCTOR  NTR1P02T1G  MOSFET Transistor, P Channel, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V

ON SEMICONDUCTOR NTR1P02T1G
Technical Data Sheet (129.25KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The NTR1P02T1G is a P-channel Power MOSFET features ultra-low on-resistance provides higher efficiency and extends battery life.

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
1A
Drain Source Voltage Vds:
-20V
On Resistance Rds(on):
0.148ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-1.9V
Power Dissipation Pd:
400mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Communications & Networking;
  • Computers & Computer Peripherals

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.000033

Liitännäistuotteet

Samanlaiset tuotteet