Low

ON SEMICONDUCTOR  NTJS4151PT1G  MOSFET Transistor, P Channel, 4.2 A, -20 V, 0.047 ohm, -4.5 V, -400 mV

ON SEMICONDUCTOR NTJS4151PT1G
Technical Data Sheet (115.79KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The NTJS4151PT1G is a P-channel single Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -3.3A continuous drain current. It is suitable for use as high side load switches, cell phones, computing, digital cameras, MP3s and PDAs.
  • Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
  • Small outline (2 x 2 mm) for maximum circuit board utilization
  • Gate diodes for ESD protection
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
4.2A
Drain Source Voltage Vds:
-20V
On Resistance Rds(on):
0.047ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-4.5V
Threshold Voltage Vgs:
-400mV
Power Dissipation Pd:
1W
Transistor Case Style:
SOT-363
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Computers & Computer Peripherals;
  • Industrial

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.000028

Samanlaiset tuotteet