Low

NTJS4151PT1G - 

MOSFET Transistor, P Channel, 4.2 A, -20 V, 0.047 ohm, -4.5 V, -400 mV

ON SEMICONDUCTOR NTJS4151PT1G

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Valmistajan osanumero:
NTJS4151PT1G
Tilauskoodi:
2317897
Tekninen tuotetietolomake:
(EN)
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Tuotetiedot

:
1W
:
150°C
:
4.2A
:
P Channel
:
6Pins
:
-400mV
:
-
:
-
:
-20V
:
-4.5V
:
SOT-363
:
0.047ohm
:
MSL 1 - Unlimited
Löydä vastaavia tuotteita Voit etsiä vastaavia tuotteita valitsemalla ja muokkaamalla yllä olevia valintoja.

Tuotteen yleiskatsaus

The NTJS4151PT1G is a P-channel single Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -3.3A continuous drain current. It is suitable for use as high side load switches, cell phones, computing, digital cameras, MP3s and PDAs.
  • Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
  • Small outline (2 x 2 mm) for maximum circuit board utilization
  • Gate diodes for ESD protection
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

Sovellukset

Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Industrial