Low

ON SEMICONDUCTOR  NTD2955T4G  MOSFET Transistor, P Channel, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V

ON SEMICONDUCTOR NTD2955T4G
Technical Data Sheet (118.64KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The NTD2955T4G is a -60V P-channel Power MOSFET designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. It is designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls. This device is particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
  • Avalanche energy specified
  • IDSS and VDS (on) specified at elevated temperature
  • ±20V Gate to source voltage
  • 2.73°C/W Thermal resistance, junction to case

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
12A
Drain Source Voltage Vds:
-60V
On Resistance Rds(on):
0.155ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-2.8V
Power Dissipation Pd:
55W
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
4Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Power Management;
  • Motor Drive & Control

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.00033

Samanlaiset tuotteet