Low

NSS60201LT1G - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 100 MHz, 540 mW, 2 A, 100 hFE

ON SEMICONDUCTOR NSS60201LT1G

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Valmistajan osanumero:
NSS60201LT1G
Tilauskoodi:
2317568
Tekninen tuotetietolomake:
(EN)
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Tuotetiedot

:
540mW
:
2A
:
60V
:
100MHz
:
150°C
:
NPN
:
100hFE
:
3Pins
:
-
:
-
:
SOT-23
:
MSL 1 - Unlimited
Löydä vastaavia tuotteita Voit etsiä vastaavia tuotteita valitsemalla ja muokkaamalla yllä olevia valintoja.

Tuotteen yleiskatsaus

The NSS60201LT1G is a 4A NPN Bipolar Transistor designed for use in low voltage and high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
  • ESD robust
  • High current gain
  • High cut-off frequency
  • Low profile package
  • Linear gain (Beta)
  • Improved circuit efficiency
  • Decreased battery charge time
  • Reduce component count
  • High frequency switching
  • Smaller portable product
  • No distortion
  • AECQ101 qualified and PPAP capable

Sovellukset

Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing, Portable Devices, Lighting, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals