Low

NSS30101LT1G - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 MHz, 710 mW, 1 A, 200 hFE

ON SEMICONDUCTOR NSS30101LT1G

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Valmistajan osanumero:
NSS30101LT1G
Tilauskoodi:
2317562
Tekninen tuotetietolomake:
(EN)
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Tuotetiedot

:
710mW
:
1A
:
30V
:
100MHz
:
150°C
:
NPN
:
200hFE
:
3Pins
:
-
:
-
:
SOT-23
:
MSL 1 - Unlimited
Löydä vastaavia tuotteita Voit etsiä vastaavia tuotteita valitsemalla ja muokkaamalla yllä olevia valintoja.

Tuotteen yleiskatsaus

The NSS30101LT1G is a 2A NPN Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
  • High current
  • ESD robust
  • High current gain
  • High cut-off frequency
  • Low profile package
  • Linear gain (Beta)

Sovellukset

Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Signal Processing, Lighting