Low

NSS12100XV6T1G - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -12 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 90 hFE

ON SEMICONDUCTOR NSS12100XV6T1G

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Valmistajan osanumero:
NSS12100XV6T1G
Tilauskoodi:
2317587
Tekninen tuotetietolomake:
(EN)
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Tuotetiedot

:
650mW
:
-1A
:
-12V
:
100MHz
:
150°C
:
PNP
:
90hFE
:
6Pins
:
-
:
-
:
SOT-563
:
MSL 1 - Unlimited
Löydä vastaavia tuotteita Voit etsiä vastaavia tuotteita valitsemalla ja muokkaamalla yllä olevia valintoja.

Tuotteen yleiskatsaus

The NSS12100XV6T1G is a 1A PNP bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.

Sovellukset

Industrial, Power Management