Low

ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907AWT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE

ON SEMICONDUCTOR MMBT2907AWT1G
Valmistajan osanumero:
MMBT2907AWT1G
Tilauskoodi:
2317593RL
Tuotevalikoima
MMBTxxxx Series
Tekninen tuotetietolomake:
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The MMBT2907AWT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
  • Halogen-free
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
-60V
Transition Frequency ft:
200MHz
Power Dissipation Pd:
150mW
DC Collector Current:
-600mA
DC Current Gain hFE:
50hFE
Transistor Case Style:
SOT-323
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
MMBTxxxx Series
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (20-Jun-2016)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial
  • Power Management
  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412100
Paino (kg):
.000006

Liitännäistuotteet

Samanlaiset tuotteet