Low

ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907AWT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE

ON SEMICONDUCTOR MMBT2907AWT1G
Technical Data Sheet (48.10KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The MMBT2907AWT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
  • Halogen-free
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
-60V
Transition Frequency ft:
200MHz
Power Dissipation Pd:
150mW
DC Collector Current:
-600mA
DC Current Gain hFE:
50hFE
Transistor Case Style:
SOT-323
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
MMBTxxxx Series
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412100
Paino (kg):
.000006

Liitännäistuotteet

Samanlaiset tuotteet