Low

ON SEMICONDUCTOR  MJD31CT4G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G
Valmistajan osanumero:
MJD31CT4G
Tilauskoodi:
2317563
Tekninen tuotetietolomake:
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The MJD31CT4G is a 3A NPN bipolar Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
  • Electrically similar to popular TIP31 and TIP32 series
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
100V
Transition Frequency ft:
3MHz
Power Dissipation Pd:
15W
DC Collector Current:
3A
DC Current Gain hFE:
10hFE
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (12-Jan-2017)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial
  • Power Management
  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.000468

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 MHz, 1.56 W, 3 A, 10 hFE

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Yksittäispakkaus
3 426 Varastossa

Hinta: kappale (leikattu nauha)

1+ 0,63 € 10+ 0,538 € 25+ 0,506 € 100+ 0,307 € lisää…

Osta

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

ON SEMICONDUCTOR

1 623 Varastossa

Hinta: kappale

1+ 0,453 € 25+ 0,421 € 100+ 0,249 € 500+ 0,232 € lisää…

Osta

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.