Low

ON SEMICONDUCTOR  MJD31CT4G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G
Technical Data Sheet (95.20KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The MJD31CT4G is a 3A NPN bipolar Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
  • Electrically similar to popular TIP31 and TIP32 series
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
100V
Transition Frequency ft:
3MHz
Power Dissipation Pd:
15W
DC Collector Current:
3A
DC Current Gain hFE:
10hFE
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.00033

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 MHz, 1.56 W, 3 A, 10 hFE

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Yksittäispakkaus
4 466 Varastossa

Hinta: kappale (leikattu nauha)

1+ 0,888 € 10+ 0,788 € 25+ 0,688 € 100+ 0,525 € lisää…

Osta

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.