Low

MJD127T4G - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 4 MHz, 20 W, -8 A, 100 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJD127T4G

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Valmistajan osanumero:
MJD127T4G
Tilauskoodi:
2317582
Tekninen tuotetietolomake:
(EN)
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Tuotetiedot

:
20W
:
-8A
:
-100V
:
4MHz
:
150°C
:
PNP
:
100hFE
:
3Pins
:
-
:
-
:
TO-252
:
MSL 1 - Unlimited
Löydä vastaavia tuotteita Voit etsiä vastaavia tuotteita valitsemalla ja muokkaamalla yllä olevia valintoja.

Tuotteen yleiskatsaus

The MJD127T4G is a 8A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
  • Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
  • Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
  • Complementary pairs simplifies designs
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Sovellukset

Industrial, Power Management, Automotive

Vaihtoehdot

Vertaa valittuja
Valmistajan osanumero
Tilauskoodi
Valmistaja / kuvaus
Saatavuus
Hinta:
Määrä
Odottaa toimitusta (Saatavana jälkitoimituksena annettujen toimitusaikojen mukaisesti)

kappale

1+ 0,457 € 25+ 0,433 € 50+ 0,351 € 100+ 0,269 € lisää…

2 Varastossa

kappale (leikattu nauha)

1+ 0,539 € 10+ 0,449 € 25+ 0,391 € 50+ 0,332 € lisää…

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V

1 441 Varastossa

kappale (leikattu nauha)

1+ 0,596 € 10+ 0,494 € 25+ 0,431 € 50+ 0,366 € lisää…