Low

ON SEMICONDUCTOR  BSS123LT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 VDC, 0.8 V

ON SEMICONDUCTOR BSS123LT1G
Technical Data Sheet (101.68KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BSS123LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 100VDC and drain current at 170mA.
  • AEC-Q101 Qualified
  • PPAP capable

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
170mA
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
6ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10VDC
Threshold Voltage Vgs:
800mV
Power Dissipation Pd:
225mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
Vietnam

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.087997

Vaihtoehdot

MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Kela
Odottaa toimitusta (Saatavana jälkitoimituksena annettujen toimitusaikojen mukaisesti)

Hinta: kappale (täysi kela)

6000+ 0,028 € 18000+ 0,0269 € 30000+ 0,025 €

Osta

Liitännäistuotteet

Samanlaiset tuotteet