Low

ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE

ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G
Technical Data Sheet (90.88KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
80V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
800mW
DC Collector Current:
1A
DC Current Gain hFE:
1000hFE
Transistor Case Style:
SOT-223
No. of Pins:
4Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 2 - 1 year
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 2 - 1 year
Alkuperämaa:
Malaysia

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.031751

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE

NXP

Yksittäispakkaus
1 130 Varastossa

Hinta: kappale (leikattu nauha)

1+ 0,47 € 30+ 0,357 € 80+ 0,278 € 250+ 0,251 € lisää…

Osta

DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223

ON SEMICONDUCTOR

2 520:  Varastossa

Hinta: kappale (leikattu nauha)

1+ 0,461 € 10+ 0,353 € 100+ 0,192 € 1000+ 0,143 €

Osta

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE

NXP

Kela
1 000 Varastossa

Hinta: kappale (täysi kela)

1000+ 0,181 € 3000+ 0,174 € 5000+ 0,167 €

Osta

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.