Low

ON SEMICONDUCTOR  BCP69T1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, -20 V, 60 MHz, 1.5 W, -1 A, 50 hFE

ON SEMICONDUCTOR BCP69T1G
Technical Data Sheet (126.61KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BCP69T1G is a PNP bipolar Epitaxial Transistor designed for use in low voltage and high current applications. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. This package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
  • Can be soldered using wave or reflow
  • AECQ101 qualified and PPAP capable
  • NPN complement is BCP68

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
-20V
Transition Frequency ft:
60MHz
Power Dissipation Pd:
1.5W
DC Collector Current:
-1A
DC Current Gain hFE:
50hFE
Transistor Case Style:
SOT-223
No. of Pins:
4Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
Philippines

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.000186

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.