Low

ON SEMICONDUCTOR  BC857CLT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE

ON SEMICONDUCTOR BC857CLT1G
Technical Data Sheet (83.08KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BC857CLT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
-45V
Transition Frequency ft:
100MHz
Power Dissipation Pd:
225mW
DC Collector Current:
-100mA
DC Current Gain hFE:
420hFE
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
BCxxx Series
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
China

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.000033

Liitännäistuotteet

Samanlaiset tuotteet