Low

ON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE

ON SEMICONDUCTOR BC850CLT1G
Technical Data Sheet (172.41KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BC850CLT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
  • Moisture sensitivity level-1
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable
  • >4000V Human body model and >400V machine model - ESD rating

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
45V
Transition Frequency ft:
100MHz
Power Dissipation Pd:
225mW
DC Collector Current:
100mA
DC Current Gain hFE:
800hFE
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
BCxxx Series
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
Philippines

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412100
Paino (kg):
.000006

Samanlaiset tuotteet