Low

ON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE

ON SEMICONDUCTOR BC850CLT1G
Valmistajan osanumero:
BC850CLT1G
Tilauskoodi:
2101810
Tuotevalikoima
BCxxx Series
Tekninen tuotetietolomake:
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BC850CLT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
  • Moisture sensitivity level-1
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable
  • >4000V Human body model and >400V machine model - ESD rating

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
45V
Transition Frequency ft:
100MHz
Power Dissipation Pd:
225mW
DC Collector Current:
100mA
DC Current Gain hFE:
800hFE
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
BCxxx Series
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (12-Jan-2017)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial
  • Power Management
  • Automotive

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Alkuperämaa:
Philippines

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412100
Paino (kg):
.000006

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 250 MHz, 330 mW, 100 mA, 110 hFE

INFINEON

Yksittäispakkaus
48 262 Varastossa

Hinta: kappale (leikattu nauha)

1+ 0,146 € 25+ 0,142 € 100+ 0,05 € 250+ 0,0473 € lisää…

Osta

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 600 hFE

DIODES INC.

Yksittäispakkaus
6 078 Varastossa

Hinta: kappale (leikattu nauha)

1+ 0,272 € 10+ 0,229 € 100+ 0,0676 € 250+ 0,0626 € lisää…

Osta

Samanlaiset tuotteet