Low

ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T1G  Bipolar Transistor Array, General Purpose, NPN, 45 V, 380 mW, 100 mA, 450 hFE, SOT-363

ON SEMICONDUCTOR BC847BDW1T1G
Technical Data Sheet (106.10KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BC847BDW1T1G is a NPN dual Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Junction temperature range

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
45V
Power Dissipation Pd:
380mW
DC Collector Current:
100mA
DC Current Gain hFE:
450hFE
Transistor Case Style:
SOT-363
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
BCxxx Series
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Power Management;
  • Industrial

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
Philippines

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412100
Paino (kg):
.000006

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE

ON SEMICONDUCTOR

Yksittäispakkaus
3 506 Varastossa

Hinta: kappale (leikattu nauha)

1+ 0,0821 € 10+ 0,062 € 100+ 0,0501 € 250+ 0,046 € lisää…

Osta

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.