Low

ON SEMICONDUCTOR  BC846BDW1T1G  Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

ON SEMICONDUCTOR BC846BDW1T1G
Technical Data Sheet (139.04KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BC846BDW1T1G is a NPN dual Transistor, designed for general purpose amplifier applications. Ideal for low power surface mount applications.
  • AEC-Q101 Qualified
  • PPAP capable
  • Halogen-free

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
Dual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
65V
Power Dissipation Pd:
380mW
DC Collector Current:
100mA
DC Current Gain hFE:
200hFE
Transistor Case Style:
SOT-363
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
BCxxx Series
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Audio;
  • Power Management

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Tariffinumero:
85412900

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE

NXP

Yksittäispakkaus
8 499 Varastossa

Hinta: kappale (leikattu nauha)

5+ 0,231 € 90+ 0,0428 € 250+ 0,038 € 750+ 0,037 € lisää…

Osta

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.