Low

ON SEMICONDUCTOR  BC337G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 630 hFE

ON SEMICONDUCTOR BC337G
Valmistajan osanumero:
BC337G
Tilauskoodi:
2101808
Tekninen tuotetietolomake:
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BC337G is a NPN silicon bipolar Amplifier Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for medium power applications.

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
45V
Transition Frequency ft:
210MHz
Power Dissipation Pd:
625mW
DC Collector Current:
800mA
DC Current Gain hFE:
630hFE
Transistor Case Style:
TO-92
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (12-Jan-2017)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial
  • Power Management

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Alkuperämaa:
Thailand

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412100
Paino (kg):
.000227

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 60 hFE

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

1 760 Varastossa

Hinta: kappale

5+ 0,111 € 250+ 0,0971 € 500+ 0,0646 € 1000+ 0,0442 € lisää…

Osta

Liitännäistuotteet

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.