Low

ON SEMICONDUCTOR  BC337G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 630 hFE

ON SEMICONDUCTOR BC337G
Technical Data Sheet (104.32KB) EN Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The BC337G is a NPN silicon bipolar Amplifier Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for medium power applications.

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
45V
Transition Frequency ft:
210MHz
Power Dissipation Pd:
625mW
DC Collector Current:
800mA
DC Current Gain hFE:
630hFE
Transistor Case Style:
TO-92
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Industrial;
  • Power Management

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
Thailand

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412100
Paino (kg):
.000227

Vaihtoehdot

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 60 hFE

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

4 130 Varastossa

Hinta: kappale

5+ 0,068 € 250+ 0,0645 € 500+ 0,0609 € 1000+ 0,0415 € lisää…

Osta

Liitännäistuotteet

Samanlaiset tuotteet

Etsi tuotteita, jotka ovat toiminnoiltaan samanlaisia tämän tuotteen kanssa. Valitse yksi seuraavista tuoteryhmäsivulle vievistä linkeistä. Sivulta löytyy kaikki tämän luokan tuotteet, jotka sisältävät toivotun ominaisuuden.