Low

MICROCHIP  LND150N8-G  MOSFET Transistor, N Channel, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V

MICROCHIP LND150N8-G
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The LND150N8-G is a N-channel depletion-mode DMOS FET utilizing Supertex's lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. It is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
  • Free from secondary breakdown
  • Low power drive requirement
  • Ease of paralleling
  • Excellent thermal stability
  • Integral source-drain diode
  • High input impedance and low CISS

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
30mA
Drain Source Voltage Vds:
500V
On Resistance Rds(on):
850ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
0V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
1.6W
Transistor Case Style:
SOT-89
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Power Management;
  • Industrial

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
United States

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.000006

Samanlaiset tuotteet