Low

MICROCHIP  DN3525N8-G  MOSFET Transistor, N Channel, 360 mA, 250 V, 6 ohm, 0 V

MICROCHIP DN3525N8-G
Näytä kaikki tekniset asiakirjat

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Tuotteen yleiskatsaus

The DN3525N8-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizing an advanced vertical DMOS structure and Supertex's well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistor and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS device. Characteristic of all MOS structure, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The low threshold normally-on DMOS FET is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speed are desired.
  • Low ON-resistance
  • Free from secondary breakdown
  • Low input and output leakage

 

Tuotetiedot

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
360mA
Drain Source Voltage Vds:
250V
On Resistance Rds(on):
6ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
0V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
1.6W
Transistor Case Style:
SOT-89
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Löydä vastaavia tuotteita  yhteisillä määreillä ryhmiteltyinä

Sovellukset

  • Power Management;
  • Communications & Networking

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Kosteusherkkyyden taso:
MSL 1 - Unlimited
Alkuperämaa:
United States

Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

RoHS-direktiivin mukainen:
Kyllä
Tariffinumero:
85412900
Paino (kg):
.000006

Samanlaiset tuotteet