Low

DN3525N8-G - 

MOSFET Transistor, N Channel, 360 mA, 250 V, 6 ohm, 0 V

MICROCHIP DN3525N8-G

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

Valmistajan osanumero:
DN3525N8-G
Tilauskoodi:
2450515

Tuotetiedot

:
1.6W
:
150°C
:
360mA
:
N Channel
:
3Pins
:
-
:
-
:
-
:
250V
:
0V
:
SOT-89
:
6ohm
:
MSL 1 - Unlimited
Löydä vastaavia tuotteita Voit etsiä vastaavia tuotteita valitsemalla ja muokkaamalla yllä olevia valintoja.

Tuotteen yleiskatsaus

The DN3525N8-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizing an advanced vertical DMOS structure and Supertex's well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistor and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS device. Characteristic of all MOS structure, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The low threshold normally-on DMOS FET is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speed are desired.
  • Low ON-resistance
  • Free from secondary breakdown
  • Low input and output leakage

Sovellukset

Power Management, Communications & Networking